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Background

최근 반도체 소자의 생산성을 높이기 위해 소재기판으로 300mm 웨이퍼가 채택되는 추세입니다. 웨이퍼의크기가 점점 커짐에 따라 반도체 제조 장비 뿐 아니라 제조 과정에서 필요한 장비 부품 및 소재에 대한 기술 요구도 더 엄격해지고 있습니다. CMP 용 Retainer Ring과 식각(Etching) 공정에 필요한 Si/SiC Ring 은 표면 정밀연마가 필요한 대표적인 반도체 소모성 부품입니다.

• SiC Wafer
• Semiconductor Ring
• Semiconductor Chip from Wafer

NTS Solution

CMP(Chemical Mechanical Polishing)은 반도체 생산 공정 중 웨이퍼의 조도 향상 및 평탄화를 위한 필수적인 공정으로서 연마패드와 웨이퍼 사이에 발생하는 기계적 작용과 슬러리와 웨이퍼
사이에 발생하는 화학적 작용을 통해 웨이퍼를 연마하는 기술입니다.당사는 세미오토 CMP 부터 풀오토 타입까지 다양한 라인업의 장비를 보유하고 있으며 정밀 가공하고자 하는 제품의 사이즈, 연마량, 요구 조도 등에 따라 최적화된 장비를 선택할 수 있습니다. 특히 공정 중 마찰로 발생하는 부하를 최소화할 수 있도록 매우 견고한 장비 구조를 자랑하며 가공 후 두께 편차를 최소화하며 최상의 표면 상태를 만들 수 있도록 장비 운용 중 온도, 가공 압력, RPM
등 모든 요소들을 매우 정밀하게 제어하는 메커니즘을 갖고 있습니다.

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