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Wafers

Full Turn-key Solutions of Wafer Grinding and Polishing

Background

웨이퍼(Wafer)는 반도체 집적회로가 올라가는 얇은 기판이며 반도체 결정을 성장시켜 만든 원형 기둥(Ingot) 을 얇게 썬 원판 모양입니다. 웨이퍼가 반도체 칩이 되기까지 그 외형적인 형태는
끊임없이 변화합니다. 웨이퍼가 발전하면 반도체 제품도 그에 따라 발전하며 반도체 제품이 진보하면 웨이퍼의 기술 요구 사양도 훨씬 더 까다로워집니다. 웨이퍼의 종류는 그 기반 물질에 따라 여러 가지가 있으며 그 중에서도 크게 실리콘 기반 웨이퍼(Polished, Epitaxial, SOI, etc)와 비실리콘 기반 웨이퍼(사파이어(Al2O3), 석영(SiO2), 저마늄(Ge),
etc)로 나눌 수 있습니다. 웨이퍼의 두께가 얇을수록 제조 원가가 줄어들며 지름이 클수록 한번에 생산할 수 있는 반도체 칩의 수가 증가하기 때문에 웨이퍼의 두께와 크기는 점차 얇고 커지는 추세입니다. 현재는 직경
300mm 의 웨이퍼가 주류를 이어가고 있습니다.

  • 12” Silicon Wafer Grinding
  • Wafer Formation Analysis
  • Semiconductor Chip from Wafer
NTS Solution

당사는 웨이퍼 제조 공정과 반도체 제조 공정에서 웨이퍼의 성능을 향상시키고 원가를 줄일 수 있도록 혁신적인 Grinding Solution 을 제공합니다. 먼저 웨이퍼 제조 공정에서는 웨이퍼의 엣지(Edge)와 표면을 연삭(Grinding) & 연마(Polishing)하고, 웨이퍼 전면에 패턴을 형성하는 반도체 전공정(Front-end)을 거친 웨이퍼는 후면만을
연삭하는 백그라인딩(Back Grinding)을 진행합니다. 시장에서 요구하는 웨이퍼의 두께가 점점 얇아지고 있는 추세이기 때문에 외부 힘에 의해 웨이퍼가 부러지고 뒤틀려지기 쉬워 핸들링하기 매우 어려워집니다. NTS Grinding 장비는 공정 간
웨이퍼의 Stress 를 컨트롤하여 요구 조도, 두께 사양을 달성하고 안정적으로 제품을 고속으로 가공하여 Throughput 을 혁신적으로 향상시킬 수 있습니다.

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